GZ Photonics Technology Co. , Ltd
προϊόντα
προϊόντα
Σπίτι > προϊόντα > Βαθιά υπεριώδης ακτινοβολία μικροδευτερολέπτου λέιζερ > Βαθύς υπεριώδης 1W UV Laser υψηλής απόδοσης για το LED Wafer Stripping

Βαθύς υπεριώδης 1W UV Laser υψηλής απόδοσης για το LED Wafer Stripping

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Τόπος καταγωγής: Κίνα

Μάρκα: GZ photonics

Πιστοποίηση: CE,FCC

Όροι πληρωμής και αποστολής

Ποσότητα παραγγελίας min: 1 μονάδα

Συσκευασία λεπτομέρειες: Ξύλινο κουτί

Όροι πληρωμής: Τ/Τ

Βρείτε την καλύτερη τιμή
Επισημαίνω:

Βαθύ υπεριώδες 1W UV λέιζερ

,

Υψηλής απόδοσης 1W UV λέιζερ

,

Λάιζερ υπεριώδους ακτινοβολίας μικροδευτερολέπτου για την απομάκρυνση κυψελών LED

Βαθύς υπεριώδης 1W UV Laser υψηλής απόδοσης για το LED Wafer Stripping

Το Deep Ultraviolet Picosecond (Πιολεπτό υπεριώδες δευτερόλεπτο) χρησιμοποιείται σε μια ποικιλία πεδίων υψηλής ακρίβειας, όπως η απομάκρυνση των LED κυψελών, η θεραπεία με υπεριώδες λέιζερ και τα επιστημονικά πειράματα.Το βαθύ υπεριώδες Πικοσεκούνδιο (π.χ. 1W) είναι πλήρως κλειδωμένο σε αυτόματη λειτουργία χρησιμοποιώντας έναν ταλαντωτή φεμτοσεκούνδου με οπτική ίνα, και έχει σχεδιαστεί με ένα εξ ολοκλήρου μεταλλικό σώμα για μεγαλύτερη αντοχή στην υγρασία νικελίου και πιο σταθερή διάχυση θερμότητας.

 

 

Παράμετροι Μονάδα Φωτεινή σειρά βαθειά υπεριώδους φωτεινής ακτινοβολίας
Διάστημα κύματος εξόδου nm 266
Μέγιστη ισχύς εξόδου W 1w@100-1000khz
Συχνότητα παλμού kHz 100-3000 (προσαρμόσιμα)
Διάμετρος παλμού σπ 10
Πολαρισμός / Βόρειος
Αριθμός σιδηροδρόμων με παλμό / 1-9
Μέγιστη ενέργεια ενός μονοπλήγματος Γ 20
Ελλειψιμότητα σημείων % ≥ 90
Ασταθερότητα ισχύος rms, σε % < 2
Διάμετρος σημείου χμ < 2
Γωνία αποκλίσεις δέσμης mrad < 1
Ποιότητα δέσμης M2 < 1.2
Ρυθμίσεις ισχύος % 0-100
Πρόσθετη τάση Κλιματισμός 220
Θερμοκρασία λειτουργίας °C 20 έως 30
Θέρμανση αποθήκευσης °C 0-50
Ψύξη / Ψύξη με νερό
Μέγεθος W×D×H(mm) 635*380*195
Βάρος χιλιόγραμμο 50
Παρόμοια προϊόντα